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— 新型NAND闪存问世:抗辐射能力达传统闪存30倍 可承受太空极端辐射 —

更新时间:2026-05-22 17:10:01 编辑:丁丁小编

5月22日消息,据媒体报道,美国佐治亚理工学院的研究团队成功研制出一款新型NAND闪存。

该闪存不仅能够高效处理人工智能(AI)任务,还能承受太空环境中的极端辐射,其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。

这款新型闪存利用了与硅工艺兼容的氧化铪材料的铁电特性——即材料在一定温度范围内会自发产生极化,且极化方向可在外部电场作用下翻转。

这一特性使铁电材料在信息存储、传感、人工智能及新一代低功耗芯片等领域展现出广阔的应用前景。

测试结果显示,该铁电闪存可承受高达100万拉德(辐射吸收剂量)的辐射,相当于1亿次X射线照射,其辐射耐受性达传统存储器的30倍。

新型NAND闪存问世:抗辐射能力达传统闪存30倍 可承受太空极端辐射

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